快科技6月20日音问，Intel官方告示，Intel 3工艺(相配于3nm级别)还是参加大规模量产，用于至强6 Sierra Forest能效核版块、Granite Ridge性能核版块赌钱赚钱软件官方登录，下半年连接登场，但不会用于酷睿。

Intel 3动作现存Intel 4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能，并因循1.2V电压的超高性能应用，不但用于自家居品，还初次绽开对外代工，翌日多年会握续迭代。

领先强调，Intel 3工艺的定位一直即是需要高性能的数据中心阛阓，要点升级包括改动想象的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联接优化等等，还因循0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压，以已矣最大负载。

为了赢得性能、密度的最好平衡，Intel还同期使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合——Intel 4唯有前者。

客户淌若有不同需求，还不错在三种不同的金属堆栈层数中聘请：14层的老本最低，18层的性能和老本最平衡，21层的性能最高。

此外，Intel 3工艺的EUV极紫外光刻诓骗愈加娴熟，在更多坐蓐工序中使用了EUV。

最终的效果是，Intel保证新工艺不错在同等功耗、晶体管密度之下，比拟Intel 4带来最多18％的进步！

Intel之前还曾示意，Intel 3比拟于Intel 4逻辑缩微减弱了约10％(不错领悟为晶体管尺寸)，每瓦性能(也即是能效)则进步了17％。

不外在要害尺寸方面，Intel 3、Intel 4是基本一致的，战役孔多晶硅栅极间距(CPP)王人是50nm，鳍片间距、M0间距王人是30nm，另外库高度 x CPP的面积除了12K，还加多了10.5K版块，亦然为了优化性能和老本平衡。

Intel 3后续还会优化推出不同的版块，针对性加强某个角度：

Intel 3-T：要点引入选用硅通孔(TSV)技巧，针对3D堆叠进行优化。

Intel 3-E：推广更多功能，比如1.2V原生电压、深N阱、长通谈模拟开发、射频等，可用于坐蓐芯片组、存储芯片等。

Intel 3-PT：在3-E的基础上，加多9微米间距的硅通孔，以及羼杂键合，性能再进步至少5％，使用也更浅易，可用于AI、HPC芯片以及通用想象芯片。